・500V低加速電圧イメージングの利点（ZEISS FE-SEM）
ZEISSのフィールドエミッション走査電子顕微鏡（FE-SEM）を用いた低加速電圧、超低加速電圧イメージング技術について説明します。ポリマー、リチウムイオン電池のセパレータ膜、グラファイト、酸化鉄粒子、シリカナノカプセル、アルミナ粒子、キチンなどの材料サンプルにおいて、低加速電圧イメージングがサンプルの損傷や帯電をいかに防ぐかが示され、特に、ZEISS Gemini光学技術を活用することで、500Vから2kVの範囲で高解像度かつ表面感度の高いイメージングの実現について述べています。

低加速電圧反射電子イメージングの利点（ZEISS GeminiSEM）
低加速電圧反射電子（BSE）イメージングの利点を説明します。従来の高加速電圧（5kV以上）でのBSEイメージングと比較して、低電圧では相互作用体積が大幅に減少し、表面感度が向上します。そのため、材料コントラストを維持しながら、空間分解能が向上します。ZEISS GeminiSEM 300/500は、500Vまでの低電圧で効果的なBSEイメージングを可能にし、材料コントラストやトポグラフィー情報を高解像度で取得できます。

・非導電性生物試料の低電圧イメージング（ZEISS GeminiSEM）
非導電性でビームに敏感な生物試料を低加速電圧でイメージングする技術について説明します。低加速電圧（50eV～5kV）を使用することで、表面感度が向上し、ビーム損傷や帯電が最小限に抑えられます。ZEISS GeminiSEMファミリーの技術を活用することで、コーティングなしでも高解像度の構造情報を取得可能です。

・磁性試料のイメージングにおけるGemini光学技術の利点（ZEISS FE-SEM）
磁性試料をZEISS FE-SEMでイメージングする際の課題と解決策について説明します。磁性試料は、適切に消磁されていれば高解像度でイメージング可能です。Gemini光学技術は、レンズの収差を低減し、高解像度を実現する設計となっており、磁性試料のイメージングにおいても安全かつ効果的です。

・ペロブスカイト触媒のナノ粒子イメージング（ZEISS FE-SEM）
ペロブスカイト触媒におけるナノ粒子の構造と形態を正確に把握するためのイメージング技術について説明します。ZEISS SigmaおよびGeminiSEMシリーズを使用し、低加速電圧と適切な検出器を選択することで、触媒活性や安定性を評価するための詳細な画像が取得可能です。特に、Inlens SE技術がナノ粒子の装飾を観察する上で重要であるとされています。