走査電子顕微鏡（SEM）による制御型電子チャネリングコントラストイメージング（cECCI）

本ウェビナーでは、走査電子顕微鏡（SEM）を用いたバルク試料中の転位解析の新たなアプローチをご紹介します。SEM による制御型電子チャネリングコントラストイメージング（cECCI）を活用し、ポリ結晶材料中の結晶欠陥をどのように可視化できるのかを探ります。cECCI によって、転位や積層欠陥などの結晶格子内の広範な欠陥観察が可能となること、また、その仕組みとして、反射電子強度が結晶方位や原子配列に依存する特性を活用していることに注目します。

材料科学分野の第一人者による講演では、電子チャネリングコントラストの基本原理や最適な観察条件の見極め、格子面秩序を乱すすべての欠陥をどのように可視化できるかについて詳しく解説します。コントラストが弱くなりがちなECCIにおける課題の乗り越え方や、最適な結果を得るための制御されたワークフローについても学ぶことができます。

この手法には、最適化されたビーム条件を持つSEMと高度な結晶学解析ソフトウェアが必要ですが、TEM（透過型電子顕微鏡）と異なりバルク試料の直接観察が可能という大きなメリットがあります。これにより、試料調製の簡素化やその場観察の実現、そして試料本来の特性の把握など、多くの利点が得られます。

ZEISS FE-SEM と Gemini 電子光学系、TOCA（Tools for Orientation Determination and Crystallographic Analysis）ソフトウェアを活用した cECCI の基礎原理を学べるこの機会をお見逃しなく。

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