オンデマンドウェビナー

ナノプロービング
デバイス特性評価と欠陥箇所特定のための10シグナルとは?

故障解析(Failure Analysis)は、半導体デバイスの品質、信頼性、および性能を確保するものであり、これらは高精度かつ大規模生産が求められるこの分野において不可欠な要素です。

欠陥の特定は、半導体故障解析における極めて重要なステップであり、複雑な集積回路内の不具合を特定し、製造プロセスの歩留まり向上を促進します。

ウェビナー内容

欠陥の特定は、半導体故障解析において極めて重要なステップであり、複雑な集積回路内の不具合を特定し、製造プロセスの歩留まり向上を促進します。

本ウェビナーでは、ナノプロービングに焦点を当て、電流-電圧特性測定、電子ビーム吸収電流(EBAC)、電子ビーム誘導電流(EBIC)、電子ビーム誘導抵抗変化(EBIRCH)などの手法を紹介します。ロジックおよびパワーデバイスの応用例に加え、特に複雑なシステムにおいて微細な欠陥を明らかにするナノプロービングの能力を示す、eDRAMのショートに関する活用事例も紹介します。

また、本ウェビナーでは、半導体故障解析における欠陥位置特定の重要性、抵抗やしきい値電圧といった主要な電気的測定を行うために使用されるSEMやナノプロービングシステムなどの必須機器、ナノプローブを用いた解析における10種類の位置特定シグナルの物理的メカニズムと使用事例について学びます。

さらに、本ウェビナーでは、複雑なシステムにおけるショート特定における課題についても取り上げ、ナノプロービングがどのようにしてデバイスの状態を正確に評価し、幅広い欠陥の位置特定を可能にするかを解説します。

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講師 Greg Johnson シニア・アプリケーション開発エンジニア

Greg Johnson は、ZEISS 顕微鏡エレクトロニクス部門に所属するシニア・アプリケーション開発エンジニアであり、IEEE シニアメンバーでもあります。

  

半導体プロセス開発および、故障解析において20年以上の経験を持つ同氏は、その豊富な知見を現在の職務に活かしています。以前はIBM に在籍し、セラミックパッケージングプロセス開発に従事したほか、複数のテクノロジーノードにわたる FEOL 欠陥の特定を主導し、高度な故障解析手法の開発に携わりました。

  

ZEISSでは、世界中の故障解析エンジニアと協力し、半導体プロセス開発に向けた SEM、FIB-SEM、および AFM 技術の向上に取り組んでいます。

講師 Sven Davani 博士 マーケットセクター・マネージャー

Dr. Sven Davani 博士は、ZEISS 顕微鏡エレクトロニクス部門のマーケットセクターマネージャーを務めており、最先端の半導体ロジック、メモリ、パッケージングにおける課題解決に向けた SEM および、FIB-SEM 技術を専門としています。

  

彼は、顧客アプローチを通じて、現在エレクトロニクス業界における技術導入を推進しています。ZEISS 入社前は、イノベーション戦略に関する研究開発コンサルティングに従事し、スタートアップ企業ではプロダクトマネジメントを統括するなど、新技術の市場投入に関する経験を積んできました。

  

ミュンスター大学で物理学博士号を取得しており、材料科学や顕微鏡法に関する研究成果は、『Acta Materialia』や『Ultramicroscopy』などの学術誌に掲載されています。

ウェビナーで学べること

  • 半導体故障解析において欠陥位置特定が重要な理由
  • 主要な電気計測および、位置特定シグナルに使用されるSEMおよび、ナノプロービング構成
  • 複雑なシステムにおいて、ナノプロービングにより短絡を特定し、デバイス状態を評価する方法

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