半導体パッケージングの故障解析を加速

高密度化と機能の微細化に伴うパッケージアーキテクチャの進化により、異種統合ロードマップとMore-than-Moore時代に不可欠な、より多くのコンポーネントと機能を収容するためのフットプリントが大きくなっています。

これらの発展は、故障解析とプロセスの特性評価に新たな課題をもたらし、解析ツール、技術の進歩、および新しいワークフローの開発の必要性を高めています。
本研究では、先進的なパッケージ業界で注目を集めている 2 種類の技術、つまり3D X 線顕微鏡 (XRM) とサンプル調製用の レーザー一体型集束イオンビーム走査型電子顕微鏡 (FIB-SEM) の進歩について説明します。

FIB-SEM ワークフローへのレーザーの統合により、断面試料作製のスループットが向上しましたが、埋もれた特徴を部位ごとに分析するための正確なターゲティングには、表面下の情報を提供する補完的な技術との相関が必要です。

3D XRM を使用してレーザー一体型FIB-SEM 解析をガイドすることで、この課題に対処するためのいくつかの利点が得られます。本研究では、FIB-SEM（LaserFIB とも呼ばれる）に統合された 3D XRM と fs レーザーを使用して、高スループットで正確にターゲットを絞り、結果を得るための新しいワークフローについて説明します。これは、高度なパッケージ故障解析の課題に対処する上で重要な進展となります。