半導体故障解析のための顕微鏡ソリューション

半導体パッケージングの故障解析を加速

ZEISS顕微鏡ソリューションによる業界最高のイメージング、効率的なサンプル調製、特性評価でワークフローを変革
  • 高分解能、広域視野、高スループットを実現する先進のアーキテクチャと深層学習により、サンプルサイズの制限を緩和し、X線顕微鏡を変革
  • 高スループットと高精度のサンプル調製を実現するレーザー一体型FIBにより、所要時間を数日から数時間に短縮
  • 高解像度電子顕微鏡と使いやすさが融合したGeminiテクノロジーでイメージングと解析を簡略化

ZEISSワークフローソリューションの概要

私たちができること

半導体パッケージング技術の進歩に伴い、故障分離と物理解析のワークフローは新たな課題に直面しています。ZEISSの革新的な連携ワークフローと相関ソリューションは、これらの新たな課題に対処し、スループットと成功率を向上させます。

部位に応じた故障解析
レーザー一体型 FIB-SEM を使用して、X 線データに基づいて部位に応じたサンプル調製を行うことで、迅速かつ正確なサンプル調製が可能になります。このワークフローは、生産性を向上させ、所要時間を数時間ではなく数分以内に短縮できるように調整されています。

定期的な画像診断と分析
従来の機械的研磨や広域イオンビームミリングによるサンプル調製は、いくつかのケースでは依然として適切です。光学顕微鏡やX線顕微鏡の画像データをサンプル調製位置決めのためにZENソフトウェアに入力し、ZEISS 電子顕微鏡での日常的な検査と分析を迅速かつ簡単に操作できます。

ワークフロー1 | 部位に応じた故障解析

部位に応じた故障解析ワークフロー

  • XRMスキャン マイクロバンプ

    3次元X線顕微鏡

    PoPを非破壊で画像化し、マイクロバンプのような分析対象の特徴を特定するためのX線顕微鏡

  • サンプル中心のフィデューシャルの相関性

    フェムト秒レーザーアブレーション

    PoPサンプルの表面にはフィデューシャルマーカーがあり、表面下にあるターゲットマイクロバンプを特定するための基準として使用される。レーザーは、マイクロバンプにアクセスするために、10分以内に1 x 1 x 1 mm3以上を除去するために使用されます。

  • 大量材料アブレーションのためのレーザーFIBワークフロー

    FE-SEMイメージング

    集束イオンビームを用いたターゲット領域の研磨は20分以内で終了し、マイクロバンプの断面が生成され、さらなるSEMイメージングと分析が可能になります。

技術資料

部位に応じた故障解析ワークフロー資料のダウンロード

本技術資料は、ワークフローの背景にある技術を深く掘り下げるためのペーパーとウェビナーで構成されています

ワークフロー2 | 定期的なイメージングと解析

定期的なイメージングと解析

  • SiPの3次元X線スキャンによる各種コンポーネントの特定とローカライズ

    3次元X線顕微鏡

    半導体パッケージを高解像度の3次元XRMで撮像し、サブミクロン精度で関心領域を定義します。

  • 試料調製

    次に、取得した3次元X線データを用いて、Perfect Edgetm 独自の試料断面加工プロセスにより、正確で歪みのない表面を生成します。

    本レポートでは、イオンビームベースの手法であるMCS Perfect Edge™とPerfect Edge 3D™を導入し、変形のない断面試料を作成することで、多様な材料におけるナノメートルスケールの特徴を高解像度で分析し、正確な故障解析を可能にします。

  • ワイヤーボンドの自動撮影

    FE-SEM イメージング

    最後に、作製した表面をFE-SEMで画像化し分析します

技術資料

定期的な画像診断と解析ワークフロー資料のダウンロード

本技術資料は、ワークフローの背景にある技術を深く掘り下げるためのペーパーとウェビナーで構成されています

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