FIB-SEM フェムト秒レーザーを使って試料調製をスピードアップしませんか?
FIB-SEMと超高速レーザーの進歩は、半導体デバイスやパッケージの試料調製、特性評価、故障解析を大きく変えました

効率的な試料調製のための超高速レーザーによる材料除去
ZEISS Crossbeam FIB-SEMにフェムト秒レーザーを追加することで、最大1,500万µm³/秒という高い材料除去速度を実現します。
フェムト秒レーザーの極めて短いパルス幅により、試料調製が非常に効率的になり、熱影響層も最小限に抑えられます。
この技術革新により、試料調製時間は従来の数時間〜数日からわずか数分に大幅短縮。アーティファクト(加工による損傷や歪み)も発生しません。シリコンカーバイドやガラスなど、様々な材料でレーザー加工が可能です。

独立レーザーチャンバーとCross-Jetシステムにより、大容量かつコンタミフリーの加工を実現
パッケージ内部の数ミリ深くに埋設された構造体へのアクセスや、数立方ミリメートルの材料を除去することが、現在では日常的に可能となっています。これにより、金属リッドを貫通した、コンデンサやTIMインターフェースなどのコンポーネント全体の大規模な断面解析が実現します。
レーザー照射専用の独立チャンバーが、アブレーションによる汚染物質を主観察チャンバーから隔離し、高解像度イメージングの品質を維持するとともに、メンテナンスコストを低く抑えます。
新たに搭載されたクロスジェットは、窒素またはアルゴンガスのフローによりアブレーション生成物の保護ガラスへの付着を防ぎ、レーザー出力やアブレーションレートを安定して長時間(数時間)にわたり連続運転することが可能です。

自動化で複数の関心領域(ROI)を正確にターゲティング、断面試料を効率的に調製し、精度と生産性を飛躍的に向上
自動搬送および独立したチャンバーでのレーザー加工により時間を節約し、スループットが向上します。また、スクリプト機能によって自動化されたワークフローの構築が可能となり、実験効率がさらに高まります。
オートメーションは複数の関心領域(ROI)を高精度でターゲティングできるだけでなく、断面試料、Hバー、TEMラメラ、アトムプローブトモグラフィー用試料の作製もサポートします。
ZEISS Crossbeam Laserでミクロン単位の高精度加工を実現
ZEISS Crossbeamレーザー装置は、独立したチャンバーでキャリブレーション済みのレーザー位置決めを行い、精密かつターゲットを絞った試料調製を実現します。
さらに、主チャンバーでのSEMイメージングによる表面特徴の位置合わせや、3D X線データと組み合わせることで、半導体パッケージ内の表面および深部に埋もれた欠陥をサブ2ミクロン精度で日常的にターゲティング可能です。これにより、従来技術を凌駕する高効率かつターゲットを絞った試料調製が実現します。